Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
уширение дифракционной линии изза расходимости первичного пучка, конечной ширины приемной щели детектора, неточности фокусировки для всей поверхности плоского образца, немонохроматичности излучения и тд..
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
пластмасса с использованием стирола или сополимеров стирола в сочетании с другими мономерами, причем стирол присутствует в наибольшем количестве.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне