Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
метод нанесения покрытий путем конденсации на подложке компонентов паровой фазы.
Рассматривается метод формирования слоя нитрида кремния, применяемого в качестве маски при изготовлении планарных транзисторов. Качественные слои получаются при использовании газофазовых реакций. Получены и исследованы зависимости скорости осаждения слоев нитрида кремния от рабочей температуры, расстояния между подложками, давления в реакторе.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.