Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
метод нанесения покрытий путем конденсации на подложке компонентов паровой фазы.
Рассматривается метод формирования слоя нитрида кремния, применяемого в качестве маски при изготовлении планарных транзисторов. Качественные слои получаются при использовании газофазовых реакций. Получены и исследованы зависимости скорости осаждения слоев нитрида кремния от рабочей температуры, расстояния между подложками, давления в реакторе.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
закалка, осуществляемая путем охлаждения в струях жидкости, обычно воды.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.