Запрещенная энергетическая зона
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
обработка поверхности изделий во вращающихся устройствах для уменьшения шероховатости, удаления заусенцев и продуктов коррозии.
Изучена роль обработки деталей свободными абразивами в современном машиностроении и продемонстрированы технологические возможности абразивной галтовки. Сформулирована задача получения теоретических зависимостей, описывающих связь производительности и качества галтовки с технологическими параметрами обработки и характеристиками рабочих сред. Рассмотрено единичное взаимодействие абразивной частицы с обрабатываемой поверхностью при галтовке. Получены зависимости для определения максимальной глубины внедрения гранулы и съёма металла за один удар абразивной гранулы. Произведено теоретическое и экспериментальное исследование процесса съёма металла, при этом учтено влияние режимов обработки, характеристик абразивной частицы и обрабатываемого материала. Получена зависимость для определения съёма металла при галтовке, прошедшая экспериментальную проверку. Сделан вывод о том, что полученные теоретические зависимости могут быть использованы при проектировании технологических процессов обработк...
Существующие конструкции магнитно-абразивных устройств не позволяют производить их реконструкцию путем изменения расположения постоянных магнитов на вращающемся диске и на корпусе. Необходимы разработка новых конструкций таких устройств и исследование процесса магнитной галтовки деталей в магнитно-абразивном устройстве. Процесс магнитной галтовки осуществляется с использованием магнитных полей, создаваемых при помощи постоянных магнитов разной конфигурации, а также смазочно-охлаждающих сред разных составов. Рассмотрено общее строение установки и принцип магнитной галтовки деталей. Приведены результаты отделочной обработки деталей, выполненных из цветных сплавов. Представленный метод отделочной обработки деталей из цветных металлов позволяет существенно повысить качество их поверхностей.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.