Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
элемент №31 периодической системы Д.И.Менделеева (III группа, 4 период), атомная масса 69,72; существует 22 изотопа с массовыми числами 62÷83, типичные степени окисления +І, +ІІ, +III; серебристобелый с голубоватым оттенком легкоплавкий металл; Тпл 302 К, Tкип 2503 К, по химическим свойствам сходен с алюминием; при обычной температуре не окисляется, воду не разлагает; происхождение названия - от древнего названия Франции - Gallia; предсказан Д.И.Менделеевым; открыт в 1875 г. П.Лекоком де Буабодраном (Франция); применяется как жидкий теплоноситель, для синтеза полупроводников, для изготовления высокотемпературных термометров, может заменять ртуть в вакуумных насосах, галлиевые зеркала обладают высокой отражательной способностью.
III группа
5 $\mathrm{B}$ Бор;
13 $\mathrm{Al}$ Алюминий;
21 $\mathrm{Sc}$ Скандий;
31 $\mathrm{Ga}$...
Галлий;
39 $\mathrm{Y}$ Иттрий;
49 $\mathrm{In}$ Индий;
81 $\mathrm{Tl}$ Таллий.
Составлена программа и проведен расчет координат атомов для всех интерметаллидов редкоземельных металлов с галлием. Для всех соединений построены атомные сетки с параметрами hkl 100, 010, 001, 110, 101, 011, 111. Рассчитаны кратчайшие межатомные расстояния и обнаружено, что в соединениях состава Sc 3Ga 2, ScGa, Sc 3Ga 5, ScGa 2 межъядерное расстояние Ga-Ga близко к межъядерному расстоянию в галлии и значительно меньше расстояний Ga-Sc и Sc-Sc. Построена зависимость расстояния Ga-Ga от состава. Предполагается, что в интерметаллидах редкоземельных металлов с галлием частично сохраняется электронная структура частицы Ga 2.
Для идеального гетероперехода более всего подходили арсенид галлия и арсенид алюминия, но арсенид алюминия...
Оказалось, что неустойчивый арсенид алюминия устойчив в «твердом растворе», соединении алюминий – галлий...
В 1967 году Алферов изучает инжекционные свойства гетеропереходов твердых растворов ${Al}_x{Ga}_{1-x}
Методами гравиметрии, оптической спектроскопии, микроскопии исследованы превра-щения в наноразмерных слоях галлия в зависимости от толщины (d = 2-74 нм) и температуры (Т = 423-873 К) термообработки. Кинетические кривые степени превращения удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, параболического и логарифмического законов. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ga, Ga2O3 и фото-ЭДС для систем Ga - Ga2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ga - Ga2O3. Предложена модель термического превращения пленок Ga, включающая стадии адсорбции кислорода, перераспределения носителей заряда в контактном поле Ga - Ga2O3 и формирования оксида галлия (III).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве