Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
раздел физики и техники, связанный с созданием технологического оборудования для получения электрической энергии с помощью специальных полупроводниковых элементов - солнечных батарей, путем фотоэлектрического преобразования селективно поглощаемого солнечного излучения.
Задача: Одной из важнейших задач сегодня является повышение эффективности преобразования солнечной энергии. Существенное место среди солнечных элементов занимают многослойные тонкоплёночные структуры TCO/A2B6 (TCO – прозрачное проводящее покрытие), на основе которых изготавливают солнечные элементы второго поколения. Наиболее широкое применение для создания широкозонного оконного слоя в таких структурах получил прямозонный полупроводник n-типа сульфид кадмия (CdS). Данная работа посвящена исследованию влияния плотности энергии на мишени и температуры подложки на фазовый состав, микроструктуру и оптические свойства тонких плёнок CdS, осаждённых на стеклянные подложки методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО). Методология: Метод импульсного лазерного осаждения (ИЛО) позволяет получать высококачественные тонкоплёночный покрытия при более низких температурах подложки по сравнению с другими физическими методами парового осаждения. Метод также даёт возможность управления свойствами ос...
При помощи «Лабораторного комплекса для научных исследований солнечных фотоэлектрических преобразователей» измерены основные электрофизические параметры кремниевых и GaAs солнечных элементов [1]. Проведен анализ полученных результатов для выработки рекомендаций по повышению эффективности СЭ в процессе отработки технологии получения тандемных СЭ GaAs на активной кремниевой подложке.
интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.