Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны; переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны.
В настоящей работе, на основе экспериментальных данных, приведены результаты исследования оптико-электрических характеристик двухбарьерных фотодиодных Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структур, используемых в качестве приемников оптических сигналов, также приводятся их усилительные характеристики, а также рассмотрена возможность их применения в измерителях затухания оптической мощности.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
то же, что положительный сигнал.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне