изделие из волоконных световодов с увеличивающимся или уменьшающимся по длине сечением.
Фоконье, Соловьева В.-А. В. Джонсон, Р. Гиббс, Б. Крофт, А. Голдберг, С.
Рассмотрено устройство электроразрядного полупроводникового лазера с фоконной вставкой. В качестве активной среды применены пластины из соединений CdS, CdxZn\-xSe и CdSxSe\-x. В случае CdS наблюдалась генерация лазерного излучения (X = 525 нм). Мощность излучения достигала 3 кВт при длительности импульса 3 не. Рассмотрены условия получения генерации в стри-мерном режиме. Исследованы спектральные характеристики излучения канала разряда в пластинах CdxZn\_xSe и CdSxSei_x. Показано, что спектр состоит из дискретных линий, которые возникают по мере распространения разряда и соответствуют изменению состава тройного соединения, полученного в процессе роста монокристалла. Предполагается, что применение тройных твердых растворов А2В6 позволит получить последовательную генерацию импульсов лазерного излучения в диапазоне 480-700 нм.
Волоконно-оптические элементы (жгуты, фоконы и т. д.). Пассивные и активные оптические среды.
Выполнено компьютерное моделирование и исследование различных вариантов построения светодиодных осветителей для одноматричного LCD-видеопроектора с использованием непоследовательных оптических компонентов. Применение таких компонентов позволяет сформировать световой пучок с необходимыми параметрами для согласования с последующей оптической системой. Компьютерное моделирование позволило проанализировать и оценить характеристики разрабатываемой системы на этапе проектирования, а в некоторых случаях и оптимизировать ее.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.
