Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
промежуточная фаза практически постоянного состава типа АВ2 (интерметаллид), образующаяся при взаимодействии металлов различных групп периодической системы при условии, что отношение атомных радиусов металлов составляет от 1,10 до 1,60, и имеющая структуру одного из трех основных типов: кубическую - типа MgCu2, гексагональную - типа MgZn2 или гексагональную - типа MgNi2.
В рамках феноменологической теории фазовых переходов второго рода для систем, описываемых термодинамическим потенциалом, инвариантным относительно группы преобразований тетраэдра, проанализированы возможные типы фазовых диаграмм. Приведены примеры фаз Лавеса, в которых происходят рассматриваемые фазовые превращения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве