рост кристаллов при электролизе или из паровой фазы, при котором ориентация образующихся отложений непосредственно связана кристаллическими ориентациями в основной кристаллической решетке.
К данным методам относятся Химическое осаждение из газовой фазы, молекулярно-лучевая эпитаксия.... Молекулярно-лучевая эпитаксия аналогичная химическому осаждению из газовых сфер, единственное отличие
В обзоре представлены результаты исследований по кинетике роста и кинетике легирования эпитаксиального GaAs в усло виях газофазовой эпитаксии. Исследования выполнялись преимущественно в лаборатории эпитаксиальных структур СФТИ, а также совместно с сотрудниками предприятий электронной промышленности и институтов Академии наук СССР. Совокупность полученных данных позволяет построить модели роста и захвата примеси при кристаллизации GaAs из пара с участием транспортной химической реакции, а также разработать технологии латеральной эпитаксии и выращивания легированных слоев, необходимых для конкретных технических применений.
Молекулярно-пучковая (лучевая) эпитаксия.... Молекулярно-пучковая эпитаксия
Определение 2
Молекулярно-пучковая эпитаксия – это эпитаксиальный... При молекулярно-пучковой эпитаксии химические элементы, из которых состоит растущая пленка, поступают... К основным преимуществам метода молекулярно-пучковой эпитаксии относятся: возможность роста пленок в... эпитаксии являются:
Вакуумная камера.
В статье изложены результаты исследований, которые позволяют полагать, что различные изменения морфологии растений, это эпитаксические процессы, подобные минеральным образованиям. Они являются заложенными природой закономерностями и зависят от окружающей среды, то есть состава почв, наличия геоактивных зон, геофизических полей, эманаций и техногенных загрязнений. Эпитаксию можно рекомендовать как один из способов биоиндикации окружающей среды при производстве работ по межеванию земельных участков.
в литейном производстве — безводный материал, добавляемый к формовочной смеси, чтобы связать частицы вместе, иногда с использованием нагрева до высокой температуры. (2) В порошковой технологии — цементирующее вещество: материал добавляемый к металлическому порошку, чтобы увеличить прочность компакта до обжига, который удаляется во время спекания; или материал (обычно с относительно низкой температурой плавления) добавляемый к порошковой смеси с целью связывания вместе измельченных частиц, которые не могут быть спечены будучи в рассеянном состоянии.
методика сварки, при которой концентрированный тепловой источник, типа плазменной дуги, проникает полностью через деталь, создавая отверстия на переднем крае расплавленного свариваемого металла. По мере продвижения источника тепла расплавленный металл заполняет объем позади источника, формируя валик сварного шва.
фактически: расстояние от корня шва до пяты углового сварного шва. (2) Номинально: длина стороны самого большого правильного треугольника, который может быть вписан в поперечное сечение шва.
