Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
ряд уровней энергии, расширенных под действием внешних или внутренних полей таким образом, что эти уровни перекрываются.
Эти зоны разделены энергетическим промежутком шириной:
\[E_g=E_c-E_v\left(1\right).\]
Этот энергетический...
Количество энергетических уровней в каждой зоне очень большое (порядка числа атомов в кристалле), энергетические...
Энергетические зоны нельзя отождествлять с пространственными зонами, областями пространства, где находится...
Решение такой задачи в квантовой механике ведет к зонной структуре энергетических уровней....
Необходимое условие проводимости -- наличие в разрешенной зоне свободных энергетических уровней.
В статье представлена методика и результаты гравитационного моделирования литосферы. Определены геофизические параметры выявляемых субвертикальных плотностных неоднородностей литосферы, при которых они являются тектонически активными: низкие значения плотности и скорости, высокий тепловой поток и радиоактивность, высокие скорости современных вертикальных движений земной коры. Такие неоднородности предложено назвать энергетическими зонами Земли. Выявлены современные и древние знергетические зоны. Установлена их связь с образованием месторождений полезных ископаемых от углеводородов до кимберлитов.
определено двумя причинами:
Характером расположения энергетических зон, вернее шириной запрещенной...
Разницей в заполнении электронами разрешенных энергетических зон....
Выше нее на 6эВ находится зона энергетических состояний иона натрия, которая не имеет электронов (рис...
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
существует достаточно свободных энергетических состояний.
Рассчитана зонная структура 3С-SiC по всей зоне Бриллюэна с использованием интерполяционной схемы, основанной на представлении зоны проводимости с помощью ортогонализованных плоских волн и Р- зоны линейной комбинации атомных орбиталей. Коэффициент Фурье в разложении потенциала S- электронов учтены для первых четырех членов волнового вектора k , отвечающих первым векторам обратной решетки Ki ( ). Введены факторы симметризации, плавно меняющиеся с изменением волнового вектора, чтобы в точках высокой симметрии и вдоль осей симметрии они давали правильные линейные комбинации плоских волн. Соответствующие матричным элементам двухцентровые интегралы, как интерполяционные параметры, выбирались методом подгонки в точках высокой симметрии из негибридизованных S- и Р -уровней по оптическим переходам.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
печатный проводник, вдоль которого распространяется электромагнитная энергия.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве