Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
У полевых трансформаторов три электрода: сток, исток и затвор....
Достоинство полевого транзистора заключается в том, что электрический ток затвора (входного электрода...
Напряжения между стоком и затвором, между затвором и истоком, между стоком и истоком....
Емкость должна быть такого значения, которое не позволит конденсаторам успевать перезаряжаться....
При расчете звуковых частот паразитной емкостью можно пренебречь, так как она незначительна.
Из-за отсутствия значительной энергетической щели в нанолентах графена имеются трудности по созданию быстро переключающихся транзисторов для цифровых схем на них. Для усиления аналоговых сигналов в ряде работ предложены графеновые туннельные транзисторы, полевые транзисторы, транзисторы с отрицательным сопротивлением и генераторы с накачкой. В работе рассмотрен транзистор в виде трех электродов, соединенных нанолентами графена или металлическими квантовыми проволоками (нитями), работающий по принципу управления током путем изменением напряжения на центральном электроде (затворе). Рассмотрение проведено в рамках модели Ландауэра-Датты-Лундстрома в приближении равновесности на электродах. Получены линейные модели, рассмотрены нелинейные слагаемые в определении тока, рассчитаны нелинейные вольт-амперные характеристики. Рассчитаны параметры транзисторного усилителя, выполненного на полосковой и щелевой линиях с учетом баллистического транспорта, баллистической индуктивности и емкостей э...
, а сам резистор в цепи истока отсутствует....
Поэтому достаточно рассчитать входную емкость, а не сопротивление, так как она является действительной...
Формула для расчета выглядит следующим образом:
$Cf = Cgd+(1-K)*Cgs$
где: Cgd - емкость между стоком...
и затвором транзистора; Cgs - емкость между истоком и затвором транзистора....
можно рассчитать следующим образом:
$Ku = (S*(Rи||Rн) / (1+S*(Rи||Rн))$
Для того, чтобы рассчитать емкости
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве