Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.