электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа.
Электроны могут рекомбинировать с дырками (совершать квантовые переходы в незаполненные состояния, то...
Квантовый переход электрона сопровождается его перемещением против поля....
Переходы против поля преобладают над переходами по полю, что значит, через полупроводник начнет течь...
Следовательно, различают электронную и дырочную проводимость полупроводников....
В этом случае электроны из валентной зоны переходят на эти добавочные уровни.
При низких (5 К) температурах продемонстрирована перестройка тонкой структуры линий дислокационной микрофотолюминесценции в теллуриде кадмия, наблюдаемая с уменьшением плотности мощности оптического возбуждения. Для каждой из трех исследованныхполос Y1 (∼1.47 эВ), Y2 (∼1.49 эВ) и Y3 (∼1.51 эВ) характер этой перестройки указывает на существование перехода от электронно-дырочной плазмы к экситонным состояниям. Установлено, что тонкая структура полосы Y3 при плотностях возбуждения ∼0.1-0.01 Вт/см2 обнаруживает признаки формирования метастабильных состояний, формирующихся с участием дислокационного ядра.
Электронно-дырочный переход: методы формирования и применение
Определение 1
Электронно-дырочный...
переход — это область, в которой соприкасаются два полупроводника с разными типами проводимости: дырочной...
Электрические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, являются основой работы полупроводниковых...
Существуют три основных способа формирования электронно-дырочного перехода:
вплавление,
диффузия примесей...
Электронно-дырочный переход используется в работе:
Стабисторов.
Диодов.
Тиристоров.
Варикапов.
Задача о распределении потенциала и плотности поверхностного заряда в тонком слое, содержащем квазидвумерный pn-переход, сведена к решению интегрального уравнения. Реализовано численное решение такого уравнения для симметричного двумерного pn-перехода в условиях равновесия и сильного вырождения. Введены и использованы граничные условия на линиях пересечения уровня Ферми и порогов подзон размерного квантования. Проанализирована зависимость ширины области обеднения и длины экранирования от эффективной массы и концентрации примеси, обнаружено, что с увеличением этих параметров результаты строгого расчета отличаются от результатов, предсказываемых приближенными аналитическими методами.
преобразовательное устройство, предназначенное для согласования работы энергосистем с различными частотами, контролируемой передачи электроэнергии, повышения надежности работы энергосистем, а также для обеспечения высокого качества передаваемой электроэнергии.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
