Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
измерение твѐрдости эластичных материалов (шкала А) вдавливанием стального стержня под определѐнным усилием; глубина вдавливания соответствует значению твѐрдости.
Представлены результаты исследований по получению композиционныхсоединений на основе диоксида кремния, размещенного в органической матрицеполистирола. Экспериментально изучены следующие физические свойства полученныхобразцов: твердость по Шору А, твёрдость в международной системе единиц IRHD,диэлектрическая проницаемость. Также получены сведения о морфологии их поверхности.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.