Дырочно-дырочный переход

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника

👍 Проверено Автор24

электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости..

Научные статьи на тему «Дырочно-дырочный переход»

Собственная и примесная проводимость полупроводников

Квантовый переход электрона сопровождается его перемещением против поля....
Переход, связанный с перемещение в направлении поля увеличивает потенциальную энергию системы....
Переходы против поля преобладают над переходами по полю, что значит, через полупроводник начнет течь...
В этом случае электроны из валентной зоны переходят на эти добавочные уровни....
В дырочном полупроводнике происходит обратный процесс.

Статья от экспертов

ОБНАРУЖЕНИЕ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ СИСТЕМЕ, СВЯЗАННОЙ С ЯДРАМИ ДИСЛОКАЦИЙ, В ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ

При низких (5 К) температурах продемонстрирована перестройка тонкой структуры линий дислокационной микрофотолюминесценции в теллуриде кадмия, наблюдаемая с уменьшением плотности мощности оптического возбуждения. Для каждой из трех исследованныхполос Y1 (∼1.47 эВ), Y2 (∼1.49 эВ) и Y3 (∼1.51 эВ) характер этой перестройки указывает на существование перехода от электронно-дырочной плазмы к экситонным состояниям. Установлено, что тонкая структура полосы Y3 при плотностях возбуждения ∼0.1-0.01 Вт/см2 обнаруживает признаки формирования метастабильных состояний, формирующихся с участием дислокационного ядра.

Creative Commons

Научный журнал

Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды

Электронно-дырочный переход: методы формирования и применение Определение 1 Электронно-дырочный...
переход — это область, в которой соприкасаются два полупроводника с разными типами проводимости: дырочной...
Электрические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, являются основой работы полупроводниковых...
Существуют три основных способа формирования электронно-дырочного перехода: вплавление, диффузия примесей...
Электронно-дырочный переход используется в работе: Стабисторов. Диодов. Тиристоров. Варикапов.

Статья от экспертов

РАСЧЕТ ПОТЕНЦИАЛА И ПЛОТНОСТИ ЭКРАНИРУЮЩЕГО ЗАРЯДА В РАВНОВЕСНОМ СИММЕТРИЧНОМ ДВУМЕРНОМ PN-ПЕРЕХОДЕ

Задача о распределении потенциала и плотности поверхностного заряда в тонком слое, содержащем квазидвумерный pn-переход, сведена к решению интегрального уравнения. Реализовано численное решение такого уравнения для симметричного двумерного pn-перехода в условиях равновесия и сильного вырождения. Введены и использованы граничные условия на линиях пересечения уровня Ферми и порогов подзон размерного квантования. Проанализирована зависимость ширины области обеднения и длины экранирования от эффективной массы и концентрации примеси, обнаружено, что с увеличением этих параметров результаты строгого расчета отличаются от результатов, предсказываемых приближенными аналитическими методами.

Creative Commons

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Попробовать тренажер