Единичный сигнал
то же, что положительный сигнал.
электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости..
Квантовый переход электрона сопровождается его перемещением против поля....
Переход, связанный с перемещение в направлении поля увеличивает потенциальную энергию системы....
Переходы против поля преобладают над переходами по полю, что значит, через полупроводник начнет течь...
В этом случае электроны из валентной зоны переходят на эти добавочные уровни....
В дырочном полупроводнике происходит обратный процесс.
При низких (5 К) температурах продемонстрирована перестройка тонкой структуры линий дислокационной микрофотолюминесценции в теллуриде кадмия, наблюдаемая с уменьшением плотности мощности оптического возбуждения. Для каждой из трех исследованныхполос Y1 (∼1.47 эВ), Y2 (∼1.49 эВ) и Y3 (∼1.51 эВ) характер этой перестройки указывает на существование перехода от электронно-дырочной плазмы к экситонным состояниям. Установлено, что тонкая структура полосы Y3 при плотностях возбуждения ∼0.1-0.01 Вт/см2 обнаруживает признаки формирования метастабильных состояний, формирующихся с участием дислокационного ядра.
Электронно-дырочный переход: методы формирования и применение
Определение 1
Электронно-дырочный...
переход — это область, в которой соприкасаются два полупроводника с разными типами проводимости: дырочной...
Электрические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, являются основой работы полупроводниковых...
Существуют три основных способа формирования электронно-дырочного перехода:
вплавление,
диффузия примесей...
Электронно-дырочный переход используется в работе:
Стабисторов.
Диодов.
Тиристоров.
Варикапов.
Задача о распределении потенциала и плотности поверхностного заряда в тонком слое, содержащем квазидвумерный pn-переход, сведена к решению интегрального уравнения. Реализовано численное решение такого уравнения для симметричного двумерного pn-перехода в условиях равновесия и сильного вырождения. Введены и использованы граничные условия на линиях пересечения уровня Ферми и порогов подзон размерного квантования. Проанализирована зависимость ширины области обеднения и длины экранирования от эффективной массы и концентрации примеси, обнаружено, что с увеличением этих параметров результаты строгого расчета отличаются от результатов, предсказываемых приближенными аналитическими методами.
то же, что положительный сигнал.
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
ток, стекающий в землю через место замыкания.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве