Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость дрейфового движения электрона или дырки.
поскольку в них для ускорения используются высокочастотные поля, частота которых строго согласуется со скоростью...
Поток ускоренных частиц движется внутри второй дрейфовой трубки....
Длина дрейфовых трубок с ростом их номера увеличивается....
Поскольку частицы движутся в каждой дрейфовой трубке с увеличением скорости, то они должны пролетать...
Пусть в таком поле протон движется с постоянной скоростью ν и находится в точке A у тот момент
Рассмотрены режимы многорезонаторного магнетрона, соответствующие условиям температурного ограничения эмиссии и ограничению эмиссии пространственным зарядом с пространственно неоднородным магнитным полем. Установлено, что подбором закона изменения магнитного поля в пространстве взаимодействия можно оказывать влияние на уровень шумов в магнетроне.
В 1940 г. он первым проводил ускорение ионов углерода и предложил использовать селектор скоростей....
В этой трубке расположены несколько дрейфовых трубок....
экранированию дрейфовыми трубками....
За время перемещения частицы в дрейфовой трубке электрическое поле изменяет свое направление на противоположное...
Ускорители Альвареса применяют при больших энергиях частиц (больших скоростях и малых длинах).
В работе впервые исследуются процессы формирования дрейфовой турбулентности плазмы применительно к условиям существования H‑моды. Рассматривается воздействие дрейфовой волны конечной амплитуды на плазму. Учтено воздействие на дрейфовую волну полоидального потока плазмы с линейным распределением скорости vy(x) = Cx. Предложена модель и разработан код для расчёта характеристик возмущений, возникающих в результате такого воздействия. Получены зависимости значений средних флуктуаций плотности плазмы от величины шира скорости C и инкремента нарастания амплитуды дрейфовой волны γ.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве