Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
вакансионный комплекс, состоящий из двух объединенных вакансий.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.