Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
комбинированный линейный дефект трансляционноповоротного типа; характеризуется векторами сдвига b (вектором Бюргерса) и поворота ω (вектором Франка); различают клиновую диспирацию и диспирацию кручения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.