Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
линия дислокации, замкнутая внутри кристалла.
By data processing of the compute-experiment imitating of elementary crystallographic slip propagation in a slip plane with the accidentally located discrete obstacles, sets, that the potential source only in 76 % of cases generates a dislocation loop on a site of a glide plane commensurable with the sizes of a slip zone. The mechanisms of closing and nouclosing of a potential source in a dislocation loop are classified and the frequencies of the relevant events (empirical and bootstrap-estimations) are reduced. The start (initial) configurations of a source at it repeated start are systematized
Исследован процесс формирования зоны кристаллографического сдвига в меди с использованием математической модели, в которой учтена зависимость линейного натяжения дислокации и генерации точечных дефектов от ориентации вектора Бюргерса по отношению к направлению движения дислокации. Проведен анализ изменения формы дислокационной петли в процессе движения.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве