Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
область, в пределах которой значение максимального отклонения аберрации волнового фронта составляет менее четверти длины волны излучения, на которой его определяют.
Применительно к размерному контролю 3D-объектов исследованы в аналитическом виде особенности формирования в дифракционно-ограниченной проекционной системе изображения объёмного асимметричного абсолютно поглощающего края - основного фрагмента толстых пластин постоянной толщины. Изучены структуры и профили интенсивностей в изображениях передней и задней граней соответственно при малых и больших апертурах оптической системы 3D-объекта для различных соотношений скоса объекта с , размера зоны Френеля d ~ ( l - длина волны света, d - толщина объекта) и угловой апертуры оптической системы. Показано, что в случае, когда скос с << d имеет место смещение профиля интенсивности изображения 3D-края, пропорциональное зоне Френеля и величине скоса. Получены и исследованы формулы для профиля изображений задней грани в случае сильных объёмных эффектов, когда глубина фокусировки системы много меньше толщины объекта. Полученные результаты находятся в согласии с результатами компьютерного моделир...
Представлен метод проектирования ультрафиолетового объектива для оптической литографии. Подход к проектированию подобного объектива заключается в разделении сложного объектива на два более простых. У первого, фронтального объекта предмет расположен на конечном расстоянии, а изображение в бесконечности. Вторая (приемная) часть литографического объектива представляет собой обычный фотообъектив. Простые объективы рассчитываются отдельно, а затем объединяются в один сложный объектив с последующей «сквозной» оптимизацией параметров. Стыковка двух частей литографического объектива выполняется в плоскости апертурной диафрагмы. Оба объектива проектируются по схеме с вынесенным входным зрачком. При выборе исходных оптических систем простых объективов использована программа с элементами искусственного интеллекта SYNOPSYS, OSD. Предложенный метод описывает шаги получения желаемой исходной оптической схемы и решает проблемы оптимизации системы с высокой апертурой. Продемонстрирован пример расче...
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
фотометр для измерения углового распределения световых характеристик среды или поверхности.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне