Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
график, показывающий скорость процесса распада переохлажденного аустенита в зависимости от температуры.
На основе предложенной термодинамический модели выполнен количественный анализ влияния легирующих элементов на кинетику распада переохлажденного аустенита. Показано, что основными факторами, определяющими характер и степень влияния легирования на процессы распада являются: интенсивность граничной самодиффузии железа и разность химических потенциалов железа в и -фазах. Впервые выполнены теоретические расчеты диаграмм изотермического распада переохлажденного аустенита для ряда легированных сталей, которые хорошо согласуются с известными экспериментальными данными
На основе кинетических кривых электросопротивления R = ¦( t ) построены диаграммы изотермического распада остаточного аустенита при переохлаждении легированной низкоуглеродистой стали в интервал минусовых температур до -100 оС. Показано, что предварительный отжиг в двухфазной (a+g)-области на устойчивость остаточного аустенита закалки к переохлаждению и изотермическому распаду не влияет.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
полимер стирола.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне