Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
ликвация (сегрегация) внутри одного дендрита (зерна).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.