дефект кристаллического строения, представляющий собой пару вакансия-собственный междоузельный атом.
Выполнен анализ дефектообразования в кремнии при облучениях, используемых для моделирования радиационных поясов Земли. Показано, появление микрообластей монокристаллического кремния с высокой концентрацией вакансий, в которых интенсивно протекают реакции по формированию дивакансий и их комплексов с примесными атомами, а также принципиальное различие в воздействии протонного облучения
Методом молекулярной динамики исследовано взаимодействие упругих волн с агрегатами точечных дефектов.
процесс получения пленки в виде бесшовного рукава путем раздувания газом (обычно воздухом) горячей трубчатой заготовки, полученной экструзией расплава полимера через кольцевую экструзионную головку.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
