Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
рентгенограмма, снятая методом порошка в камере Дебая.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.