Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
число циклов напряжений или деформаций в единицу времени.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне