Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
порошковый антифрикционный композиционный материал, образованный бронзовой матрицей с однородно распределенными частицами графита; используется в узлах трения, работающих при ограниченной смазке, повышенной температуре, влажности и ударных нагрузках; обеспечивает низкий коэффициент трения и повышенное сопротивление изнашиванию.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.