Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сплав олова с 5—10% сурьмы (Sb) и 2% меди (Сu), предназначенный для изготовления столовой посуды и украшений.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.