Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
отражение рентгеновского излучения образцом при выполнениии условий, удовлетворяющих уравнению Вульфа-Брегга.
Косселевская дифракция рентгеновских лучей в германиевом кристалле возбуждалась электронами. Измерение распреде- лений интенсивности для профилей косселевских линий про- водилось раздельно на Kα1 и Kα2 характеристическом рент- геновском излучении германия при спектральной ширине меньше естественной. С этой целью был применен дифрак- ционный спектрометр с двумя совершенными кристаллами кальцита. Профили косселевских линий анализировались с использованием формализма принятого в фурье-спектроско- пии для обработки дискретных интерферограмм с фазовой ошибкой. Таким образом, для анализа использовался метод, отличающийся от стандартного метода рассмотрения в рамках модели стационарного рассеяния излучения. Полу- ченные результаты для значений эффективной угловой ши- рины в явлении косселевской дифракции оказались в два раза больше, чем значение ширины дарвиновского распределения для брегговских отражений монохроматических рентгенов- ских лучей в германии.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
полимер стирола.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве