Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
интегральная схема, считывающая сигнал с ФЧЭ путем накопления фототока и его коммутацию таким образом, что число ее выходов меньше, чем число ФЧЭ; каждый элемент в БИС считывания соединен с накопительной емкостью, которую называют «ячейкой накопления»; уровень заполнения ячейки накопления - это отношение текущего заряда ячейки к максимально возможному значению заряда.
Процедура обращения к памяти разбивается на поделённые во времени операции, а именно записи и считывания...
Основой ОЗУ являются большие интегральные схемы, которые содержат матрицы, состоящие из набора триггеров...
Память типа кэш реализуется на больших интегральных схемах (БИС) с высоким быстродействием, поскольку
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
счетчик Гейгера-Мюллера, в котором гасящим агентом является галоген.