Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
гальваническое хромирование, обеспечивающее повышенную отражательную способность поверхности изделия в основном за счет уменьшения размера зерна хрома и шероховатости поверхности покрытия.
Предложен новый комплексный электролит для осаждения тонких декоративных хромовых покрытий на блестящей никелевой подложке. Показано, что качество покрытий по внешнему виду не уступают покрытиям, полученным из электролитов шестивалентного хромирования
Исследованы электролиты трёхвалентного хромирования в присутствии неорганического буферного компонента. Из этих электролитов при рН 2,5 на блестящей никелевой подложке осаждаются блестящие осадки хрома в интервале плотностей тока 4-10 А/дм 2 с выходом по току металла 9-12% при содержании соли хрома 125 г/л, при увеличении же концентрации соли хрома до 150 г/л ВТ повышается до 13-17%.C.E.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.