Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электронный прибор, работа которого зависит от перемещения как дырок, так и электронов.
Представлена математическая модель разрушения контактных паяных соединений полупроводникового прибора в процессе эксплуатации, основанная на кинетической термофлуктуационной теории прочности твёрдых тел. В результате совместного решения стационарной задачи теплопроводности и кинетического уравнения, описывающего процесс распада межатомных связей в области контакта, получены зависимости долговечности наиболее напряжённого участка контактного паяного соединения кристалла с теплоотводом мощного биполярного транзистора от параметров материалов соединения и режима работы прибора.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
устройство, преобразующее двоичный код в код "1 из N".
то же, что положительный сигнал.