Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
смесь железного (стального) порошка, содержащая несколько процентов меди для компенсации усадки; при спекании медь диффундирует в железо и поэтому объем металла увеличивается (линейное увеличение размеров до 1—1,2%).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.