Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
магнетрон, рабочий режим которого устанавливается при включении номинального напряжения анода, не требуя предварительного разогрева катода, причем первичный электронный поток создается за счет автоэлектронного эмиттера, а вторичная электронная эмиссия развивается по мере возбуждения колебаний.
Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторичноэмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения. Показана перспективность применения в безнакальных источниках электромагнитных излучений различной выходной мощности СВЧ и субтерагерцового диапазонов частот, взамен металлических, наноуглеродных автокатодов, которые устраняют необходимость в использовании для этих целей традиционных вторично-эмиссионных катодов на основе сложных композиционных материалов с расходуемыми активными примесями.Background and Objectives: Development of techniques and investigation of secondary emission properties of film diamond graphite nanocomposites obtained in differe...
Проведен анализ особенностей разрядов торцевого холловского ускорителя (ТХУ) и магнетронной распылительной системы (МРС), на основании чего установлены уравнения балансов токов для двухразрядной системы ТХУ-МРС. Теоретически обоснованы и экспериментально подтверждены условия взаимной стимуляции разрядов МРС и ТХУ. Приведен диапазон необходимой величины разрядного тока МРС для поддержания баланса заряженных частиц в безнакальной модификации разряда ТХУ и генерируемом им ионном пучке для реализации процесса ионного ассистирования магнетронному распылению, а также варианта ТХУ и источника электронов на основе разряда в скрещенных E×H полях в квазизамкнутой области для процессов ионнoго ассистирования при испарении
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
фоточувствительный прибор с переносом заряда, состоящий из нескольких полупроводниковых кристаллов, фоточувствительных модулей, схем коммутации и управления.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве