Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
область биполярного транзистора между эмиттерным и коллектороным р-п-переходами. обеспечивающая управление работой биполярного транзистора.
Разработана аналитическая модель для нелегированного (слаболегированного) четырехзатворного и с кольцевым затвором МОП-транзисторов с использованием Verilog-A. Эта модель основана на точном решении уравнения Пуассона с изменяемой длиной области канала. Произведены физические и аналитические расчеты токов и напряжений МОП-транзистора с кольцевым затвором. Более того, модель Verilog-A совместима с различными симуляторами схем. Модель будет полезным инструментом для разработчиков интегральных схем (ИС).
В статье, наблюдаемое нарастание рабочего тока (-)p-n-p+(+)-структуры можно объяснить тем, что коэффициент передачи тока зависит от напряжения коллектор-эмиттер и увеличивается с повышением температуры, благодаря возрастающему количеству генерируемых в коллекторном переходе носителей.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.
ток, стекающий в землю через место замыкания.