Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
среда, позволяющая в данных условиях осуществлять азотирование металла (изделия).
Исследования, касающиеся обновления термодинамических расчетов при газовом азотировании, а также термодинамического анализа механизма формирования и существования некоторых активных частиц в азотирующей плазме и связанных с ней процессов фазообразования в тлеющем разряде, являются актуальными. Посвящена обогащению представлений о кинетике и механизме формирования азотируемого слоя при насыщении в азотосодержащей плазме. Проведен термодинамический анализ процессов при газовом и ионно-плазменном азотировании. Расчеты основных возможных реакций при газовом азотировании позволили заключить, что газовое азотирование с молекулярным азотом невозможно; атомами азота - возможно при наличии атомов азота в широком температурном интервале; в недиссоциированном аммиаке - возможно, но в реальных условиях маловероятно. Рассчитаны равновесные состояния при различных процессах, протекающих в азотосодержащей плазме и на границе металл-плазма. Проведены расчеты термодинамического потенциала всех наблю...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.