Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
атмосфера, способная обеспечить азотирование металла (изделия) в данных условиях.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.