Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
аналоговая осевая голографическая схема в сонаправленных пучках, в которой под объектной волной понимают дифрагировавшую волну, а под опорной волной недифрагировавшую волну, прошедшие через объект.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.