Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
жесть с защитным слоем олова толщиной 1,6÷ 2,5 мкм, нанесенным методом горячего лужения (погружения изделия в расплавленное олово).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
полимер винилацетата.