Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
проводниковый материал, допускающий длительную эксплуатацию при температурах не ниже 1000 К в воздушной или другой окислительной газовой среде.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне