Гипервысокие частоты
радиочастоты 300-3000 ггц.
Затвор переноса
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
Разместил
🤓 runnizeephethy896
👍 Проверено Автор24
электрод, к которому приложено напряжение с целью переноса заряда и который изолирован от полупроводникового материала изолирующей поверхностью или переходом.
Научные статьи на тему «Затвор переноса»
Биполярные транзисторы, полевые транзисторы, каскад на биполярном транзисторе
В полупроводниковой структуре биполярного транзистора два р-n перехода, перенос заряда осуществляется...
Сильное электрическое поле коллекторного перехода захватывает электроны из базы и затем переносит их...
Транзисторы с изолированным затвором....
Данный транзистор представляет собой транзистор, у которого затвор электрически изолирован от канала...
В транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника при нулевом напряжении на затворе,
Статья от экспертов
Фоточувствительная секция линейного ФППЗ для систем ориентации космических аппаратов по солнцу
Рассмотрена конструкция фоточувствительной секции линейного фотоэлектрического прибора с переносом зарядов, состоящая из фоточувствительных элементов и электродов накопления, переноса, затвора и стока антиблуминга. Рассмотренная конструкция позволяет реализовать режим электронного затвора в широком диапазоне времени экспозиции 0.2… 10 мс, а также мощный сток избыточного фотогенерированного заряда (до 2000 раз) в устройстве антиблуминга.
Creative Commons
Научный журнал
Нанотранзисторы
печатной графики, который основан на технике плоской печати, при которой типографская краска под давлением переносится...
Транзисторы с двойным затвором....
В транзисторах с двойным затвором вдвое увеличен ток самого транзистора....
В данном устройстве кремниевое тело имеет форму плавника, которое обернуто затвором....
Каналы индуцируются напряжением на затворах вдоль сторон пластины.
Статья от экспертов
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ
На основе кинетического метода Монте-Карло проведено численное моделирование электронного переноса в кремниевых короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся базовым элементом современных микросхем флеш-памяти. С помощью данного моделирования рассчитано влияние затворного напряжения на относительную величину туннельного паразитного тока, возникающего на плавающем затворе, а также среднюю энергию и подвижность электронов в проводящем канале данных транзисторов при разных напряжениях на стоке. Показано, что для исследованных условий это влияние существенно на срединном участке проводящего канала транзистора и снижается у истокового и стокового перехода прибора.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
- Перенос
- Затвор
- Восточный перенос
- Зональный перенос
- Приказ по переносу
- Стратегия «переноса»
- Избирательный перенос
- Число переноса
- Шаровой перенос
- Перенос навыков
- Перенос (переключение)
- Канал переноса
- Перенос материала
- Направление переноса
- Переноса явления
- Процессы переноса
- Трансграничный перенос
- Стратегия "переноса"
- Затвор воздушный
- Затвор (регулирования)
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
