мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режим.
В пленочных интегральных микросхемах межэлементные соединения и сами элементы сделаны в виде пленок....
В аналоговых интегральных устройствах выходные и входные сигналы изменяются согласно закону непрерывной...
В цифровых микросхемах входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логическая единица или логический...
Развертывание микросхемы....
плотности электрического тока в соединениях, рассеиваемой мощности, а также плотности соединений.
Исследуются энергетические характеристики генераторов СВЧ-хаоса малой мощности. С этой целью рассматриваются свойства нескольких вариантов транзисторных генераторов. Анализируется потребление тока и мощности при генерации хаоса с требуемыми характеристиками и выявляются закономерности, показывающие соотношения между напряжением питания, потребляемым током и выходной мощностью на примере одного из генераторов. Проводится проектирование генератора в виде монолитной интегральной микросхемы на основе кремниево-германиевой технологии и приводятся оценки энергетических характеристик генератора.
Источником питания потребляется некоторая мощность, часть которой является выходной мощностью и передается...
источника питания; Р1 — входная мощность; Р2 — выходная мощность;
Получается, что характерным свойством...
Интегральные микросхемы.
Транзистор.
Вариконд....
В данном случае усилительными элементами могут быть транзисторы, выполненные в виде интегральной микросхемы...
микросхемами, биполярными транзисторами, с электронными лампами, с полевыми транзисторами.
Схема сдвига уровня необходима для реализации высоковольтной развязки входных и выходных каскадов интегральных неизолирующих драйверов управления затворами (HVIC). Она также позволяет повысить устойчивость микросхемы к смещениям отрицательной полярности, наводимым на выходные каскады из-за наличия паразитных элементов схемы. Драйверы HVIC, не имеющие гальванической развязки, используются, как правило, в преобразователях малой и средней мощности. Разработка интегральных схем управления изолированным затвором MOSFET / IGBT на основе современной технологии SOI (Silicon On Isolator), исключающей возможность защелкивания (latch-up effect), требует применения усовершенствованной схемы сдвига уровня. Возможности такой схемы продемонстрированы с помощью нового 7-канального драйвера с рабочим напряжением 600 В, разработанного компанией SEMIKRON. Испытания показали, что устройство сохраняет работоспособность при отрицательном смещении до –45 В для каскадов нижнего уровня и –20 В для каскадов ...
преобразовательное устройство, предназначенное для согласования работы энергосистем с различными частотами, контролируемой передачи электроэнергии, повышения надежности работы энергосистем, а также для обеспечения высокого качества передаваемой электроэнергии.
зависимость выходного напряжения от входного.
электрическая цепь, которая может проявлять резонанс.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
