Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
интервал времени между 10 %-ным значением амплитуды переднего фронта входного импульса (напряжения на затворе в случае полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором, или тока базы в случае биполярного транзистора, или тока управляющего электрода тиристора) и 10 %-ным значением тока коллектора, либо тока стока, либо тока анода.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
величина обратная сопротивлению.