Время включения биполярного транзистора

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника

👍 Проверено Автор24

интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.

Научные статьи на тему «Время включения биполярного транзистора»

Биполярный транзистор

Устройство биполярного транзистора Определение 1 Биполярный транзистор – это полупроводниковый...
Схема биполярного транзистора....
Режимы работы биполярного транзистора и его основные параметры У биполярного транзистора существуют следующие...
передачи по току, обратный ток коллектора, входное сопротивление, время отключения, предельная частота...
Вторичные параметры зависят от схемы включения транзистора, поэтому основными вторичными параметрами

Статья от экспертов

Проектирование IGBT-прибора высокого быстродействия

Представлены результаты исследования влияния технологических параметров формирования структуры IGBT-прибора на его динамические характеристики. Показано, что быстродействие (время включения и выключения) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора, так и МОП-транзистора составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей мере динамические характеристики IGBT-структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора (при увеличении дозы в 2 раза время включения и выключения снижаются почти на 20 % каждое, а при увеличении энергии ионов на 20 % длительность выходного импульса увеличивается почти на 25 %).

Creative Commons

Научный журнал

Определение параметров выпрямительных диодов. Определение параметров биполярных транзисторов

Определение параметров биполярных транзисторов Определение 2 Биполярный транзистор – это полупроводниковый...
Биполярные транзисторы используются в разнообразных электронных устройствах для того, чтобы усилить и...
транзисторов зависят от схемы включения, которая может быть с общим эмиттером, коллектором или базой...
При включении транзистора по схеме с общим коллектором формула имеет следующий вид: $к = Iэ/Iб = Iэ/(...
транзисторов трудоемкий процесс, зависящий от многих факторов - схемы включения, технических характеристик

Статья от экспертов

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы

процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.

Коммутируемая секция

секция, находящаяся в процессе коммутации.

Связь графа схемы

ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.

Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot