интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Устройство биполярного транзистора
Определение 1
Биполярный транзистор – это полупроводниковый...
Схема биполярного транзистора....
Режимы работы биполярного транзистора и его основные параметры
У биполярного транзистора существуют следующие...
передачи по току, обратный ток коллектора, входное сопротивление, время отключения, предельная частота...
Вторичные параметры зависят от схемы включения транзистора, поэтому основными вторичными параметрами
Представлены результаты исследования влияния технологических параметров формирования структуры IGBT-прибора на его динамические характеристики. Показано, что быстродействие (время включения и выключения) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора, так и МОП-транзистора составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей мере динамические характеристики IGBT-структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора (при увеличении дозы в 2 раза время включения и выключения снижаются почти на 20 % каждое, а при увеличении энергии ионов на 20 % длительность выходного импульса увеличивается почти на 25 %).
Определение параметров биполярных транзисторов
Определение 2
Биполярный транзистор – это полупроводниковый...
Биполярные транзисторы используются в разнообразных электронных устройствах для того, чтобы усилить и...
транзисторов зависят от схемы включения, которая может быть с общим эмиттером, коллектором или базой...
При включении транзистора по схеме с общим коллектором формула имеет следующий вид:
$к = Iэ/Iб = Iэ/(...
транзисторов трудоемкий процесс, зависящий от многих факторов - схемы включения, технических характеристик
преобразовательное устройство, предназначенное для согласования работы энергосистем с различными частотами, контролируемой передачи электроэнергии, повышения надежности работы энергосистем, а также для обеспечения высокого качества передаваемой электроэнергии.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне
