Мощность накачки излучателя лазера
мощность, подводимая к излучателю лазера.
интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды.
Классификация транзисторов и их основные параметры
Определение 1
Транзистор — это полупроводниковый...
В радиотехнике самыми распространенными транзисторами являются полевые и биполярные....
В полупроводниковой структуре биполярного транзистора сформировано два р-n-перехода, перенос заряда через...
электрический ток, входная проводимость, коэффициент передачи по току, обратный ток коллектора, время...
Спад амплитудно-частотной характеристики в области верхних частот определяется постоянной времени перезаряда
Обсуждаются причины появления петлеобразных участков в ДХ ГВВ на биполярных транзисторах (БТ). На ВЧ БТ импульс тока коллектора ГВВ, работающего с отсечкой тока имеет характерный, растянутый по времени фронт нарастания и укороченное время спада. Показывается, что такая форма тока вместе с отставанием по фазе пикового значения импульса коллекторного тока, с противофазно совмещенным с ним в НДР и КР ГВВ минимумом синусоидального напряжения на коллекторе и формируют петлеобразные участки в ДХ ГВВ.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве