Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.
радиочастоты 30-300 ггц.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне