Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне