Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Входной затвор

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника
Разместил 🤓 putoweebook1985
👍 Проверено Автор24

устройство электрического ввода сигнала, состоящее из моп-транзистора, у которого сток образован первой потенциальной ямой.

Научные статьи на тему «Входной затвор»

Расчет транзистора

У полевых трансформаторов три электрода: сток, исток и затвор....
Достоинство полевого транзистора заключается в том, что электрический ток затвора (входного электрода...
очень мал), что определяет высокое входное сопротивление каскадов на них, что способствует устранению...
Напряжения между стоком и затвором, между затвором и истоком, между стоком и истоком....
Входное сопротивление каскада транзистора намного больше, чем выходное сопротивление.

Статья от экспертов

Исследование методов подавления шума в интегральных широкополосных МШУ

В настоящее время широко распространенной архитектурой МШУ является схема с резистивной обратной связью между стоком и затвором транзистора. Такая архитектура обеспечивает полосу усиления более 10 ГГц, однако возникает проблема одновременного согласования входного импеданса и обеспечения малого коэффициента шума. Кроме того, входной импеданс такого усилителя обратно пропорционален крутизне входного транзистора, что накладывает ограничение на максимально допустимый коэффициент усиления. Достичь одновременно приемлемого коэффициента усиления и согласования входного импеданса позволяют архитектуры усилителей с множественными обратными связями, однако они имеют высокое значение коэффициент шума, не менее 5 дБ. В настоящей работе предложена архитектура усилителя, выполненного по технологии CMOS 0,18 мкм, с обратными связями, состоящего из усиливающего и повторяющего каскада, дополненного схемой подавления шума канала входного транзистора. Такая архитектура обеспечивает согласование входн...

Научный журнал

Истоковый повторитель на МДП транзисторе

Определение 2 МДП транзистор — это прибор с изолированным затвором и управляющим p-n-переходом....
Входное сопротивление мощных МДП транзисторов, как правило, носит емкостный характер....
Формула для расчета выглядит следующим образом: $Cf = Cgd+(1-K)*Cgs$ где: Cgd - емкость между стоком и затвором...
транзистора; Cgs - емкость между истоком и затвором транзистора....
На затвор входное напряжение подается через разделительный конденсатор (Ср), а на нагрузку выходное напряжение

Статья от экспертов

Драйверы MOSFET / IGBT технологии soi с усовершенствованными каскадами сдвига уровня

Схема сдвига уровня необходима для реализации высоковольтной развязки входных и выходных каскадов интегральных неизолирующих драйверов управления затворами (HVIC). Она также позволяет повысить устойчивость микросхемы к смещениям отрицательной полярности, наводимым на выходные каскады из-за наличия паразитных элементов схемы. Драйверы HVIC, не имеющие гальванической развязки, используются, как правило, в преобразователях малой и средней мощности. Разработка интегральных схем управления изолированным затвором MOSFET / IGBT на основе современной технологии SOI (Silicon On Isolator), исключающей возможность защелкивания (latch-up effect), требует применения усовершенствованной схемы сдвига уровня. Возможности такой схемы продемонстрированы с помощью нового 7-канального драйвера с рабочим напряжением 600 В, разработанного компанией SEMIKRON. Испытания показали, что устройство сохраняет работоспособность при отрицательном смещении до –45 В для каскадов нижнего уровня и –20 В для каскадов ...

Научный журнал

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot