У полевых трансформаторов три электрода: сток, исток и затвор.... Достоинство полевого транзистора заключается в том, что электрический ток затвора (входного электрода... очень мал), что определяет высокое входное сопротивление каскадов на них, что способствует устранению... Напряжения между стоком и затвором, между затвором и истоком, между стоком и истоком.... Входное сопротивление каскада транзистора намного больше, чем выходное сопротивление.
В настоящее время широко распространенной архитектурой МШУ является схема с резистивной обратной связью между стоком и затвором транзистора. Такая архитектура обеспечивает полосу усиления более 10 ГГц, однако возникает проблема одновременного согласования входного импеданса и обеспечения малого коэффициента шума. Кроме того, входной импеданс такого усилителя обратно пропорционален крутизне входного транзистора, что накладывает ограничение на максимально допустимый коэффициент усиления. Достичь одновременно приемлемого коэффициента усиления и согласования входного импеданса позволяют архитектуры усилителей с множественными обратными связями, однако они имеют высокое значение коэффициент шума, не менее 5 дБ. В настоящей работе предложена архитектура усилителя, выполненного по технологии CMOS 0,18 мкм, с обратными связями, состоящего из усиливающего и повторяющего каскада, дополненного схемой подавления шума канала входного транзистора. Такая архитектура обеспечивает согласование входн...
Определение 2
МДП транзистор — это прибор с изолированным затвором и управляющим p-n-переходом.... Входное сопротивление мощных МДП транзисторов, как правило, носит емкостный характер.... Формула для расчета выглядит следующим образом:
где: Cgd - емкость между стоком и затвором... транзистора; Cgs - емкость между истоком и затвором транзистора.... На затворвходное напряжение подается через разделительный конденсатор (Ср), а на нагрузку выходное напряжение
Схема сдвига уровня необходима для реализации высоковольтной развязки входных и выходных каскадов интегральных неизолирующих драйверов управления затворами (HVIC). Она также позволяет повысить устойчивость микросхемы к смещениям отрицательной полярности, наводимым на выходные каскады из-за наличия паразитных элементов схемы. Драйверы HVIC, не имеющие гальванической развязки, используются, как правило, в преобразователях малой и средней мощности. Разработка интегральных схем управления изолированным затвором MOSFET / IGBT на основе современной технологии SOI (Silicon On Isolator), исключающей возможность защелкивания (latch-up effect), требует применения усовершенствованной схемы сдвига уровня. Возможности такой схемы продемонстрированы с помощью нового 7-канального драйвера с рабочим напряжением 600 В, разработанного компанией SEMIKRON. Испытания показали, что устройство сохраняет работоспособность при отрицательном смещении до –45 В для каскадов нижнего уровня и –20 В для каскадов ...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
преобразовательное устройство, предназначенное для согласования работы энергосистем с различными частотами, контролируемой передачи электроэнергии, повышения надежности работы энергосистем, а также для обеспечения высокого качества передаваемой электроэнергии.
Оставляя свои контактные данные и нажимая «Попробовать в Telegram», я соглашаюсь пройти процедуру
регистрации на Платформе, принимаю условия
Пользовательского соглашения
и
Политики конфиденциальности
в целях заключения соглашения.
Пишешь реферат?
Попробуй нейросеть, напиши уникальный реферат с реальными источниками за 5 минут