Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
процесс вакуумного термоформования, при котором пуансон помещается в корпус с целью обеспечения воздушной подушки, чтобы препятствовать касанию предварительно нагретого листа и формы до конца его прохода, когда применяется вакуум для удаления воздушной подушки и извлечения листа из формы.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
химическоe соединениe элемента с кислородом.