Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
условие, обеспечивающее образование интерференционного максимума при отражении рентгеновских лучей, ней тронов или электронов от кристаллической решетки: 2dsinΘ = nλ, где d - межплоскостное расстояние в кристаллической решетке, λ - длина волны падающего излучения, Θ - угол падения, n - порядок отражения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.