Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
условие, обеспечивающее образование интерференционного максимума при отражении рентгеновских лучей, ней тронов или электронов от кристаллической решетки: 2dsinΘ = nλ, где d - межплоскостное расстояние в кристаллической решетке, λ - длина волны падающего излучения, Θ - угол падения, n - порядок отражения.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.