Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
проводимость, обусловленная преобладанием свободных носителей заряда одного типа.
Исследованы термостимулированные токи короткого замыкания в исходных и композитных пленках на основе полилактида в короноэлектретном состоянии. Показано наличие гетерои гомозаряда в исследуемых образцах. Обнаружено, что проводимость в исходных пленках полилактида является частично униполярной (концентрация отрицательных носителей заряда больше, чем положительных). Методом термостимулированных токов короткого замыкания доказано, что введение гидрофильного наполнителя в полимерную матрицу приводит к уменьшению объемной проводимости композита (на 2 порядка), показано, что глубина приповерхностных ловушек, на которых захватывается гомозаряд для положительного знака коронного разряда больше, чем для отрицательного как для исходных, так и для композитных пленок полилактида.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
радиочастоты 30-300 ггц.
печатный проводник, вдоль которого распространяется электромагнитная энергия.